薄膜晶体管的历史起源于20世纪初,最早由德裔美国物理学家李利费尔于1925年提出场效应晶体管的概念[6]。随后,巴丁和布列坦成功制备了点接触型晶体管[7][8],肖克利在其的基础上发明了双极性晶体管和结型场效应晶体管,进一步推动了晶体管技术的发展[9][10]。直到魏麦于1962年使用多晶硫化镉薄膜作为沟道层,第一个真正的薄膜晶体管才成功出现[7][11][12]。20世纪70年代,学者们对氧化物薄膜晶体管进行研究并尝试将TFT与LCD结合[11][13],在这之后,硅基薄膜晶体管开始迅速发展,但其高成本和不透光特性限制了应用[11][14]。2003年后,氧化物薄膜晶体管再次崭露头角,并被应用于新兴领域[11][15][16]。 薄膜晶体管通常由三个主要组成部分构成,即导电电极(包括栅电极、源电极和漏电极)、介电层(绝缘层)和沟道层(包括有源层和半导体层)[5],其主要作用是控制电流的流动,从而在液晶显示屏等设备中实现像素的开关操作,通 过在控制栅极上施加电压,控制源极和漏极之间的电流流动,从而控制像素的亮度和颜色[2][17]。一般来说,薄膜晶体管主要根据其沟道有源层的类型进行分类,大致可以分为非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管等四种,可以根据其特点应用于不同场合[18]。 发展历程
历史起源