威廉·肖克利
美国物理学家和发明家
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历史版本
威廉·肖克利（William Shockley，1910年2月13日-1989年8月12日），美国物理学家和发明家，[1][3]晶体管的发明人之一，[8]90多项专利拥有者，诺贝尔物理学奖获得者。[7]
1932年，肖克利在加州理工学院学习固体物理学并获得了理学学士学位。1936年，肖克利从麻省理工学院拿到博士学位。[5]博士毕业后，肖克利加入了贝尔实验室（1925年成立），二战期间，他曾经短期离职，加入美国海军研究机构，从事反潜艇技术的开发。二战结束后，肖克利回到贝尔实验室，负责电子管物理学方面的科研工作。[8][2]1948年，肖克利与他人合作发明了晶体管，从而获得了诺贝尔物理学奖。[7]随后他于1956年在加州山景城创立了肖克利半导体实验室，聘用了很多年轻优秀的人才，但很快因公司内部不合而与两年后永久关闭。[8]1963年，肖克利被任命为斯坦福大学首任工程科学教授，并担任工程和应用科学领域的特聘教授，[5]他被认为是“将硅带进硅谷的人”。[1]但是肖克利晚年时放弃了对半导体的研究而转向研究人类基因与智力之间的关系，他的优生观念与种族主义思想在社会上遭到很多人批判。[3]1989年8月12日，[9]已经逐渐被人遗忘的肖克利死于前列腺癌，享年79岁，被埋葬在加利福尼亚州帕洛阿尔托的阿尔塔梅萨纪念公园。[4][10][3]
肖克利一生有很多荣誉，如1946年获得国家功绩勋章；1953年，同时获得康斯托克物理学奖与奥利弗·E·巴克利固体物理奖；1956年因发现晶体管效应获得诺贝尔物理学奖，他被《时代》杂志评为20世纪最具影响力的100人之一。[2][11][12][13]肖克利在物理上有很大贡献，他的代表著作有《半导体中的电子和空穴，及其在晶体管电子学中的应用》等。[5]为纪念肖克利，很多校园都有他的雕像，如大连东软信息学院校园内就有肖克利全身像。[14]