场效应管

电压控制型半导体器件
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场效应管（Field Effect Transistor，FET）全称场效应晶体管，又称单极型晶体管[1]，是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件[4]，是以小的输入电压控制较大输出电流的电压型控制放大器件。[5]
1925年，Julius Edger Lilienfeld首次提出结型场效应晶体管的基本定律。1930年，Lilienfeld又将绝缘栅结构引进场效应晶体管，开创了绝缘栅型场效应晶体管的先河。[6]1960年，Kahng和Atalla研发出了第一个硅基的金属-氧化物-半导体场效应晶体管。1962年，Weimer用多晶CaS薄膜做成了薄膜场效应晶体管。[6]1970年，Bergveld研制出离子敏感场效应晶体管。 [7]在1973年，Brody等人首次研制出有源矩阵液晶显示(AM-LCD)，并用CdSeTFT作为开关单元。1979年,Comber，Spear和 Ghaith发表了基于不定型硅----即a-硅的TFT的研究。[6]1980年Janata利用FET选择性地检测青霉素。[7]
场效应管可以分为结型、绝级栅型两大类。每一大类按其导电沟道可分为N沟道和P沟道两种。[5]因功耗小、体积小、热稳定性好、易于集成化这些优点，而被广泛应用于模拟集成电路和数字集成电路中。[2]

简史

在1925年，Julius Edger Lilienfeld首次提出结型场效应晶体管的基本定律，开辟了对固态放大器的研究。1930年，Lilienfeld又将绝缘栅结构引进场效应晶体管(后来被称为MISFETs)，在专利中发表了该工作，构建了其基本构造并阐述了其工作原理，开创了绝缘栅型场效应晶体管的先河。[6]