光刻胶
微电子技术微细图形加工的材料
条目
历史版本
光刻胶（Photoresist）[1]又称光致抗蚀剂[2]，是指经过紫外线、准分子激光、电子束、离子束或X射线辐射，溶解度发生剧变化的薄膜材料。[4]主要成分是一大类具有光敏化学作用的高分子聚合物材料，通常包含有三种成分：感光材料、聚合物材料（树脂）、溶剂。[2]
20世纪 20年代初期 ，柯达公司发现在紫外光下聚乙烯醇和肉桂酸具有很强的交联反应，并且感光度很高，随后用于光学玻璃的光栅蚀刻，成为光刻胶的先驱。20世纪40年代，英国的 Eisler 首次将重铬酸 盐感光材料用于印刷电路板的制造；20世纪40年代末期，美国出现第一个光固化油墨配方和实施技术专利；20世纪50年代中期，柯达公司的L.M. Minsk等人研究的光敏剂增感的聚乙烯醇肉桂酸酯成为第一个光固化性能的光刻胶，并先后用于印刷工业和电子工业。至此拉开了光刻胶，在工业中应用的序幕。[5]
光刻胶具有光化学敏感性，经过曝光、显影、刻蚀等工艺，将掩模版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中，在后续工艺中，保护下面的材料（如刻蚀或离子注人阻挡层），最终将设计好的微细图形从掩模版转移到待加工基 片。[2]
光刻胶广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作，是微细加工技术的关键性材料。光刻胶是光刻工艺最重要的耗材，它直接决定了加工成品的精密程度和良品率，而光刻工艺又是精密电子元器件制造的关键流程，这使得光刻胶在整个电子元器件加工产业，都有着至关重要的地位。[3]