蚀刻
将材料用化学反应而移除的技术
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历史版本
蚀刻是将材料通过化学反应或物理撞击作用而移除的技术。通常的蚀刻技术指的都是化学蚀刻，是一种通过曝光制版和显影后，将蚀刻区域的保护膜去除，在蚀刻时接触化学溶液，起到溶解腐蚀的作用，从而达到凹凸或者镂空成型的效果。蚀刻可以对金属表面进行细微加工，可以实现金属表面的特殊效果，因而在很多设计上得以应用，常见的蚀刻工艺有曝光法和网印法[1]。
蚀刻是IC工艺以及MENS工艺中的一种重要步骤，是与光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺。广义上来讲，蚀刻成为通过溶液、反应离子或其他机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。在半导体制造中有两种基本的蚀刻工艺：干法蚀刻和湿法蚀刻。干法蚀刻是把硅片表面暴露于气态中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开出的窗口，与硅片发生物理或化学反应(或这两种反应)，从而去掉暴露的表面材料，是亚微米尺寸下蚀刻器件的最重要方法。干法蚀刻又可以分为离子铣蚀刻、等离子蚀刻和反应离子蚀刻三种主要方法。而在湿法蚀刻中，液体化学试剂(如酸、碱和溶剂等)以化学方式去除硅片表面的材料，湿法蚀刻一般只适用于尺寸较大的情况(大于3μm)，仍然用来腐蚀硅片上某些层或用来去除干法蚀刻后的残留物。湿法蚀刻由于其快速的蚀刻时间、低成本、低复杂度以及掩膜版材料的可用性而被广泛使用，是传统蚀刻方法[2]。
蚀刻原理
通常所指蚀刻也称光化学蚀刻（photochemical etching），指通过曝光制版、显影后，将要蚀刻区域的保护膜去除，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。