光电效应

光照射金属引起的一类光致电现象
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光电效应（英文名：Photoelectric effec）是光照射物质引起的一类光致电现象，[2][8]光电效应分为外光电效应和内光电效应。[9]在高于特定频率的光照射下，物质（金属或半导体）内部的电子吸收能量后克服表面势垒并逸出而形成电流。[10][11]
光电效应由德国物理学家赫兹（Heinrich Rudolf Hertz）于1887年发现，[12][13]威利斯·兰姆（Willis Lamb）与马兰·斯考立（Marlan Scully）于1969年使用半经典方法证明光电效应，该方法将电子的行为量子化，又将光视为纯粹经典电磁波，完全不考虑光是由光子组成的概念。[14][15]直到1905年，爱因斯坦（Einstein）提出光量子假说才准确解释了光电效应，他也因此获得了1921年的诺贝尔物理学奖。[13][16][17]
利用光电效应，可得到物质的光电子（能）谱，用以研究物质的电子能级、光电特性及表面物理和化学特性；[4]可制作光电管、光电倍增管、光敏二极管、光敏三极管、光电池等光电元器件与光电式传感器。[5][6]

定义

光电效应是光照射到物质上，引起物质的电性质发生变化的一类光致电变现象的统称。[8]光电效应分为外光电效应和内光电效应。[9]