内光电效应

光电效应种类之一
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内光电效应，指的是在光线作用下使材料内部电阻率改变的现象。[1]内光电效应是在光子与被晶格原子或掺入的杂质原子所束缚的电子相互作用的基础上产生的。[2]许多金属硫化物、硒化物及碲化物等半导体材料，如硫化镉、硒化镉、硫化铅及硒化铅等在受到光照时均会出现电阻下降的现象。另外，电路中反偏的PN结在受到光照时也会在该PN结附近产生光生载流子（电子-空穴对），从而对电路造成影响。[3]
内光电效应分为光电导效应和光生伏特效应两种。[2]光电导效应是指当光照射到半导体材料时，材料吸收光子的能量，使得非传导态电子变为传导态电子，引起载流子浓度增大，从而导致材料电导率增大的现象；光生伏特效应是光照使半导体中光生电子和空穴在空间分开而产生电位差的现象。[4]

简介

光电导效应：当入射光子射入到半导体表面时，半导体吸收入射光子产生电子空穴对，使其自生电导增大。
光生伏特效应：当一定波长的光照射非均匀半导体（如PN结），在自建场的作用下，半导体内部产生光电压。