忆阻器
表示磁通与电荷关系的电路器件
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历史版本
忆阻器（Memristor）[2]，全称为记忆电阻器，[1]是一种有记 忆功能的非线性电阻，[4]是电阻、电容、电感之外的第四种电路基本元件，具有高速、低功耗、高集成度、兼具信息存储与计算功能等特点，被认为是最有潜力的未来逻辑运算器件。[5]
1971年，首次提出忆阻器的概念的是加州大学华裔科学家蔡少棠。可直到2008年，惠普公司的研究小组才将这一概念变为现实，创建了世界上第一个忆阻器器件，并在《Nature》上证实忆阻器的物理存在。美国密歇根大学于2010年率先研制出一种模拟大脑突触工作的忆阻器电路。比勒菲尔德大学托马斯博士及其同事在2012年制成了一种具有学习能力的忆阻器。2013年，安迪·托马斯利用“忆阻器”作为人工大脑的关键部件。2015年5月17日，科学家已经采用忆阻器件，创建了神经网络芯片。[6]2018年Guo团队制备了光电忆阻器，2019年韩国Wang团队制备了一款垂直结构的忆阻器。2021年，作者研究组率先研发出全光控忆阻器。2022年，东北师范大学的Liu团队制备了一款全光控忆阻器，并模拟了生物突触的长程增强和抑制功能。[7]