王守武
微电子学家、中国科学院院士
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历史版本
王守武1941年2月从同济大学机电系毕业。[3]1946年获普渡大学硕士学位。[3]1949年2月获美国普渡大学博士学位。[1][3]1956年受聘为清华大学无线电系第一任半导体教研室主任。[5]1960年任中国科学院半导体研究所副所长。[5]1962年11月任中国科学院半导体研究所学术委员会主任委员。[5]1980年当选为中国科学院学部委员（院士）[a]。1980年2月任109厂厂长职务。[7]1987年起任中国科学院半导体研究所正研究员。[7]2014年7月30日因病逝世，享年95岁。[8]
王守武是中国半导体科学技术的开拓者与奠基人之一。[1]主持研制成功了中国第一只砷化镓半导体激光器；主持研制成功4千位、16千位的DRAM大规模集成电路；组织筹建了中国第一个半导体研究室和全国半导体测试中心。[1][2]出版了《半导体器件研究与发展-第一册》《VDMOS场效应晶体管应用手册》等4部著作。[4]研究成果先后获中国科学院科研成果奖一等奖2项，中国科学院科技进步奖二等奖4项，以及中国科学院发明三等奖、全国科技大会奖、半导体研究所科技成果奖三等奖等奖项各1项。[5]先后获评全国劳动模范[1]、何梁何利基金科学与技术进步奖[9]等荣誉。