磷化镓（GaP）是一种人工合成的化合物半导体材料。由Ⅲ族元素镓（Ga）和V族元素磷（P）组成。磷化镓外观为橙红色透明晶体，[1]微硬度940kg/mm，[2][3]相对密度4.13，熔点1465℃，难溶于盐酸、硝酸。[4] 磷化镓是一种间接带隙材料，引入能形成等电子陷阱的杂质后，发光效率会大大提高，并且能根据引入杂质的 不同而发出不同颜色的光来。因此磷化镓是制作可见光发光二极管和数码管等光电显示器件的重要材料。[5] 物化性质
磷化镓的晶体结构为闪锌矿型，晶格常数5.447±0.06埃，化学键是以共价键为主的混合键，其离子键成分约为20%，300K时能隙为2.26eV，属于间接跃迁型半导体。磷化镓与其他宽带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如GaAS、 InP)相同，可通过引入深中心使费米能级接近带隙中部，如掺入铬、铁、氧等杂质元素可成为半绝缘材料。目前尚未得到非掺杂半绝缘材料。 安全信息