砷化铟
制造霍耳器件等的半导体材料
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历史版本
化是一种由铟和砷构成的Ⅲ一V族化合物半导体材料，化学式为InAs。它是灰色的立方晶体，熔点为942°C。砷化铟与镓砷化物具有相似的性质，是一种直接带隙材料，在室温下的带隙为0.35 eV。砷化铟被广泛用于制造红外探测器，其波长范围为1-3.8 µm，通常采用光伏光电二极管制造。砷化铟也用于制造二极激光器。此外，砷化铟因其高电子迁移率和窄能隙而被广泛用作太赫兹辐射源。2017年，世界卫生组织国际癌症研究机构将砷和无机砷化合物列入1类致癌物清单。
物理结构
常温呈银灰色固体，具有闪锌矿型的晶体结构，晶格常数为0.6058nm，密度为5.66g/cm(固态)、5.90g/cm(熔点时液态)。能带结构为直接跃迁，禁带宽度(300K)0.45eV。InAs相图如图所示。
InAs在熔点(942℃)时砷的离解压只有0.033MPa，可在常压下由熔体生长单晶。常用的有HB和LEC方法，单晶直径达φ50mm。
InAs是一种难于纯化的半导体材料。非掺In．As单晶的剩余载流子浓度高于l×10/cm，室温电子迁移率3.3×10^3cm/(V·s)，空穴迁移率460cm/(V·s)。硫在In．As中的有效分凝系数接近1，故用作n型掺杂剂 ，以提高纵向载流子浓度分布的均匀性。工业用的InAs(s)单晶，n≥1×10/cm3，μ≤2.0×10cm/(V·s)，EPD≤5×10/cm。